名称
形式
本体部 检出元件 InGaAs
IR-FAI□□□
本体部 检出元件 Si
IR-FAS□□□
集光部形式
名称
形式
集光部 测定距离和测定径 100mm时为Ф1mm
IR-FL0□□□□
集光部 测定距离和测定径 1000mm时为Ф12mm
IR-FL1□□□□
集光部 测定距离和测定径 500mm时为Ф5mm
IR-FL2□□□□
集光部 测定距离和测定径 200mm时为Ф2mm
IR-FL3□□□□
集光部 测定距离和测定径 200mm时为Ф4mm
IR-FL4□□□□
集光部 测定距离和测定径 150mm时为Ф5mm
IR-FL5□□□□
集光部 测定距离和测定径 600mm时为Ф20mm
IR-FL6□□□□
集光部 测定距离和测定径 1000mm时为Ф8mm
IR-FL8□□□□
电源单元形式
名称
形式
电源单元
IR-ZFEP
标准量程
检出元件
测定范围
集光部
InGaAs
150～450℃
200～700℃
250～1000℃
300～1300℃
IR-FL5、IR-FL6
250～1000℃
300～1300℃
350～1600℃
IR-FL0、IR-FL1、IR-FL2、IR-FL3、IR-FL4、IR-FL8
Si
400～900℃
500～1200℃
600～1800℃
700～2400℃
IR-FL5、IR-FL6
600～1800℃
700～2400℃
800～3000℃
IR-FL0、IR-FL1、IR-FL2、IR-FL3、IR-FL4、IR-FL8
规格
本体部
形式
IR-FAI
IR-FAS
检出元件
InGaAS
Si
测定波长
1.55µm
0.9µm
精度
1000℃未满:±5℃
1000℃以上1500℃未满:测定值的:±0.5%
1500℃以上2000℃未满:测定值的:±1%
2000℃以上:测定值的±2%
重复性
0.2℃
温度漂移
0.1℃或测定值的0.015%/℃中大的值
分辨率
0.5℃
响应时间
0.01s
辐射率修正
辐射率设定值:1.999～0.050
信号调制
DELAY:平均值(平滑度)(调制度0.0-99.9s、0.1s/步
任意设定)、调制度0=REAL、
PEAK：最高值（调制度0<
形式
本体部 检出元件 InGaAs
IR-FAI□□□
本体部 检出元件 Si
IR-FAS□□□
集光部形式
名称
形式
集光部 测定距离和测定径 100mm时为Ф1mm
IR-FL0□□□□
集光部 测定距离和测定径 1000mm时为Ф12mm
IR-FL1□□□□
集光部 测定距离和测定径 500mm时为Ф5mm
IR-FL2□□□□
集光部 测定距离和测定径 200mm时为Ф2mm
IR-FL3□□□□
集光部 测定距离和测定径 200mm时为Ф4mm
IR-FL4□□□□
集光部 测定距离和测定径 150mm时为Ф5mm
IR-FL5□□□□
集光部 测定距离和测定径 600mm时为Ф20mm
IR-FL6□□□□
集光部 测定距离和测定径 1000mm时为Ф8mm
IR-FL8□□□□
电源单元形式
名称
形式
电源单元
IR-ZFEP
标准量程
检出元件
测定范围
集光部
InGaAs
150～450℃
200～700℃
250～1000℃
300～1300℃
IR-FL5、IR-FL6
250～1000℃
300～1300℃
350～1600℃
IR-FL0、IR-FL1、IR-FL2、IR-FL3、IR-FL4、IR-FL8
Si
400～900℃
500～1200℃
600～1800℃
700～2400℃
IR-FL5、IR-FL6
600～1800℃
700～2400℃
800～3000℃
IR-FL0、IR-FL1、IR-FL2、IR-FL3、IR-FL4、IR-FL8
规格
本体部
形式
IR-FAI
IR-FAS
检出元件
InGaAS
Si
测定波长
1.55µm
0.9µm
精度
1000℃未满:±5℃
1000℃以上1500℃未满:测定值的:±0.5%
1500℃以上2000℃未满:测定值的:±1%
2000℃以上:测定值的±2%
重复性
0.2℃
温度漂移
0.1℃或测定值的0.015%/℃中大的值
分辨率
0.5℃
响应时间
0.01s
辐射率修正
辐射率设定值:1.999～0.050
信号调制
DELAY:平均值(平滑度)(调制度0.0-99.9s、0.1s/步
任意设定)、调制度0=REAL、
PEAK：最高值（调制度0<
日本千野CHINO广州代理商,千野CHINO广州总代理,藤野贸易广州有限公司代理
日本千野CHINO广州代理商,千野CHINO广州总代理,藤野贸易广州有限公司代理
日本千野CHINO广州代理商,千野CHINO广州总代理,藤野贸易广州有限公司代理
